Low alkaline contamination bottom antireflective coatings for both 193-and 157-nm lithography applications

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題名:	Low alkaline contamination bottom antireflective coatings for both 193-and 157-nm lithography applications
作者:	Chen,HL;Chuang,YF;Lee,CC;Hsieh,CI;Ko,FH;Wang,LA
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	RESISTS
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-07 14:14:47 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A bilayer bottom antireflective coating (BARC) structure composed of TEOS oxide and silicon nitride film stacks is demonstrated for both ArF (193 nm) and F-2 (157 nm) excimer laser lithography. The top TEOS oxide film is an NH3-contaminant-free material t
關聯:	MICROELECTRONIC ENGINEERING
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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