中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/35438
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    题名: Mechanism investigation of NiOx in Au/Ni/p-type GaN ohmic contacts annealed in air
    作者: Lee,CT;Lin,YJ;Lee,TH
    贡献者: 光電科學與工程學系
    关键词: P-TYPE GAN;N-TYPE GAN;ELECTRICAL-PROPERTIES;PHOTOELECTRON;DEFECTS;LAYERS
    日期: 2003
    上传时间: 2010-07-07 14:14:53 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Recently, Au/Ni/p-type GaN ohmic contacts annealed in an air ambient have been widely investigated. However, to obtain a low specific-contact resistance, the annealing window is limited. In this study, to understand the oxidation function of metallic Ni,
    關聯: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
    显示于类别:[光電科學與工程學系] 期刊論文

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