Investigation of the thermal degradation mechanism for Cu/Au Schottky contacts to the InGaP layer

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題名:	Investigation of the thermal degradation mechanism for Cu/Au Schottky contacts to the InGaP layer
作者:	Liu,DS;Lee,CT
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	INGAP/GAAS/INGAP MSM PHOTODETECTORS;GAAS;RELIABILITY;LASERS
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-07 14:21:29 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The thermal degradation mechanism of Cu/Au contacts to the InGaP layer has been investigated using current-voltage measurement, x-ray diffractometry (XRD) measurement and cross-sectional transmission electron microscopy with energy dispersive x-ray spectr
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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