Nonalloyed ohmic mechanism of TiN interfacial layer in Ti/Al contacts to (NH4)(2)S-x-treated n-type GaN layers

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題名:	Nonalloyed ohmic mechanism of TiN interfacial layer in Ti/Al contacts to (NH4)(2)S-x-treated n-type GaN layers
作者:	Lee,CT;Lin,YJ;Lin,CH
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY;P-TYPE GAN;ELECTRICAL-PROPERTIES;SURFACE TREATMENTS;THERMAL-STABILITY;SPUTTERED TIN;FILMS;METAL;MICROSTRUCTURE;PERFORMANCE
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-07 14:23:58 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We investigate the nonalloyed ohmic contact of Ti/Al contacts to (NH4)(2)S-x-treated n-type GaN layers using x-ray photoelectron spectroscopy analysis. The native oxide on the n-type GaN surface can be completely removed by (NH4)(2)S-x solution. The resul
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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