Thickness-dependent renormalization of strain effects on self-organized InAs quantum dots grown on GaAs

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題名:	Thickness-dependent renormalization of strain effects on self-organized InAs quantum dots grown on GaAs
作者:	Lin,RM;Nee,TE;Tsai,MC;Chang,YH;Fan,PL;Chang,RS
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;1.3 MU-M;EMISSION
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-07 14:27:25 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The thickness-dependent renormalization of strain effects on self-organized InAs quantum dots has been systematically investigated. The photoluminescence-emission energy shift for the smaller quantum dots reveals both the hydrostatic and shear strain effe
關聯:	JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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