CO2-laser-assisted plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon dioxide thin film

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题名:	CO2-laser-assisted plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon dioxide thin film
作者:	Tsai,HS;Chiu,HC;Chang,SH;Cheng,CC;Lee,CT;Liu,HP
贡献者:	光電科學與工程學系
日期:	2001
上传时间:	2010-07-07 14:30:26 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of silicon dioxide (SiO2) thin films from SiH4 and N2O has been executed with and without CO2 laser illumination. The quality of the film processed under a 10.6 mum CO2 laser was close to that of a fil
關聯:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
显示于类别:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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