Effect of Pt barrier on thermal stability of Ti/Al/Pt/Au in ohmic contact with Si-implanted n-type GaN layers

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題名:	Effect of Pt barrier on thermal stability of Ti/Al/Pt/Au in ohmic contact with Si-implanted n-type GaN layers
作者:	Lee,CT;Kao,HW;Hwang,FT
貢獻者:	光電科學與工程學系
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-07 14:32:00 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We report the effect of the Pt barrier on the thermal stability of Ti/Al/Pt/Au in ohmic contact with Si-implanted n-type GaN layers. Ti/Al/Au (25/100/200 nm) and Ti/Al/Pt/Au (25/100/50/200 nm) multilayers were, respectively, deposited on as-implanted and
關聯:	JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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