GaN and InGaN metal-semiconductor-metal photodetectors with different Schottky contact metals

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題名:	GaN and InGaN metal-semiconductor-metal photodetectors with different Schottky contact metals
作者:	Su,YK;Chiou,YZ;Juang,FS;Chang,SJ;Sheu,JK
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	SINGLE-CRYSTAL GAN;I-N PHOTODIODES;ULTRAVIOLET DETECTION;LOW-NOISE;ALGAN
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-07 14:34:14 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The characterizations of n-type doped GaN, p-type doped GaN and n-type doped In0.2Ga0.8N Schottky metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors were reported. The epilayers were grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition (MOVCD). Schottk
關聯:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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