Growth and performance study of aluminum-free InGaAs/GaAs/InGaAsP strained quantum-well pump lasers

NCU Institutional Repository > 理學院 > 光電科學與工程學系 > 期刊論文 > Item 987654321/35500

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35500

題名:	Growth and performance study of aluminum-free InGaAs/GaAs/InGaAsP strained quantum-well pump lasers
作者:	Shiao,HP;Lee,HY;Lin,YJ;Tu,YK;Lee,CT
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	MOLECULAR-BEAM-EPITAXY;DOPED FIBER AMPLIFIERS;980-NM
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-07 14:34:15 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The growth of InGaP, InGaAs and InGaAsP epilayers lattice matched to GaAs using the low pressure organometallic vapor phase epitaxy (LP-OMVPE) system was investigated. For the application of erbium-doped fiber amplifiers (EDFAs), the emission wavelength a
關聯:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	580	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing