Low resistive ohmic contact formation on surface treated-n-GaN alloyed at low temperature

NCU Institutional Repository > 理學院 > 光電科學與工程學系 > 期刊論文 > Item 987654321/35506

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35506

題名:	Low resistive ohmic contact formation on surface treated-n-GaN alloyed at low temperature
作者:	Lin,YJ;Lee,HY;Hwang,FT;Lee,CT
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY;FIELD-EFFECT TRANSISTOR;P-TYPE GAN;THERMAL-STABILITY;MICROWAVE PERFORMANCE;GALLIUM NITRIDE;METAL CONTACTS;TI/AL CONTACTS;MECHANISM;LAYERS
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-07 14:34:25 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Ohmic contacts to n-type GaN with low contact resistance were developed lay (NH4)(2)S-x and KOH+(NH4)(2)S-x surface treatments prior to Ti/Al metal deposition The lowest specific contact resistance of 3.0 x 10(-6) Ohm -cm(2) was obtained for Ti/Al contact
關聯:	JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	461	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing