Low-resistance Ni/Au ohmic contact to Mg-doped of Al0.15Ga0.85N/GaN superlattices

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题名:	Low-resistance Ni/Au ohmic contact to Mg-doped of Al0.15Ga0.85N/GaN superlattices
作者:	Kuo,CH;Sheu,JK;Chi,GC;Huang,YL;Yeh,TW
贡献者:	光電科學與工程學系
关键词:	P-TYPE GAN;FIELD-EFFECT TRANSISTOR;SINGLE-CRYSTAL GAN;N-TYPE GAN;ELECTRICAL-PROPERTIES;WORK-FUNCTIONS;PERFORMANCE;FILMS;CA
日期:	2001
上传时间:	2010-07-07 14:34:28 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Electrical properties of Ni (6 nm)/Au (14 nm) contacts to Mg-doped strained layer Al0.15Ga0.85N/GaN supel lattices have been analyzed. The hole concentration and mobility are around 1 x 10(18) cm(3) and 10 cm(2)/V s, respectively. Hall effect measurements
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
显示于类别:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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