Schottky barrier height and surface state density of Ni/Au contacts to (NH4)(2)S-x-treated n-type GaN

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題名:	Schottky barrier height and surface state density of Ni/Au contacts to (NH4)(2)S-x-treated n-type GaN
作者:	Lee,CT;Lin,YJ;Liu,DS
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	OHMIC CONTACTS;SPECTROSCOPY;MICROSCOPY
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-07 14:34:42 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	By using capacitance-voltage and photoluminescence measurements, we have investigated the Schottky barrier height and surface state density of Ni/Au contacts to n-type GaN with, and without, (NH4)(2)S-x treatment. The Schottky barrier height of 1.099 eV i
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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