Improvements of amorphous-silicon inverted-staggered thin-film transistors using high-temperature-deposited Al gate with chemical mechanical polishing

NCU Institutional Repository > 理學院 > 光電科學與工程學系 > 期刊論文 > Item 987654321/35539

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35539

题名:	Improvements of amorphous-silicon inverted-staggered thin-film transistors using high-temperature-deposited Al gate with chemical mechanical polishing
作者:	Shih,PS;Chang,TC;Liang,CY;Huang,TY;Chang,CY
贡献者:	光電科學與工程學系
关键词:	HILLOCK FORMATION;FABRICATION;RESISTIVITY;STABILITY;TFT
日期:	2000
上传时间:	2010-07-07 14:35:26 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Chemical mechanical polished Al (CMP-Al) films deposited at various temperatures were explored as the gate electrodes of amorphous- silicon (a-Si:H) inverted-staggered thin-film transistors (TFTs) for the first time. Although the surface roughness of the
關聯:	ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
显示于类别:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	636	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing