Ohmic performance comparison for Ti/Ni/Au and Ti/Pt/Au on InAs/graded InGaAs/GaAs layers

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题名:	Ohmic performance comparison for Ti/Ni/Au and Ti/Pt/Au on InAs/graded InGaAs/GaAs layers
作者:	Lyu,YT;Jaw,KL;Lee,CT;Tsai,CD;Lin,YJ;Cherng,YT
贡献者:	光電科學與工程學系
关键词:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;CONTACTS;RESISTANCE;INAS/INGAAS
日期:	2000
上传时间:	2010-07-07 14:35:45 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Metallization systems of Ti/Ni/Au and Ti/Pt/Au were deposited onto InAs/graded InGaAs/GaAs epitaxial layers grown on GaAs substrate. Both of them exhibit good nonalloyed specific contact resistance of 1.0 x 10(-6) and 3.0 x 10(-6) Ohm cm(2) for Ti/Pt/Au a
關聯:	MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS
显示于类别:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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