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    Title: 矽鍺半導體材料與鈷矽鍺化合物間相平衡與擴散之探討
    Authors: 石東益;Dong-Yi Che
    Contributors: 化學工程與材料工程研究所
    Keywords: 鈷矽鍺擴散;鈷矽鍺相平衡;鈷矽鍺半導體;Co-Si-Ge phase diagram;Co-Si-Ge semiconductor;Co-Si-Ge diffusion
    Date: 2000-07-05
    Issue Date: 2009-09-21 12:18:13 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 本論文第一部份以實驗測定矽鍺鈷系統在700oC與950℃之三元平衡相圖。此部份的研究中,本論文利用粉末X光繞射(XRD)、電子微探儀(EPMA)及金相觀察等分析方法來測定700oC與950℃矽鍺鈷三元相圖。實驗中發現到矽鍺相在合金製造過程中有嚴重的偏析現象,以致於矽鍺相很難達成組成均勻。此一相圖與SiGe半導體相關之部份簡述如下:在700℃下,CoSi2與Si1-xGex相平衡之x值為0.78,在950℃下,CoSi2與Si1-xGex相平衡之x值為0.65。此外,於700℃與950℃也決定出固溶液Co(Si1-yGey)的穩定組成範圍為0≦y≦0.71。藉由本論文所決定之相圖可完整地解釋文獻中Co/Si1-xGex界面反應時所發生的現象。除此之外,我們也利用感應偶合電漿來測定矽鍺中Co之溶解量。 此外本論文亦測定Co-CoSi-CoGe三角形區域之相圖,在加上Si-Ge-CoSi-CoGe梯形區域之相圖,可完整地建立950℃矽鍺鈷三元平衡相圖。論文中並以本實驗所決定出的相圖與文獻做比對,討論其中的差異。 本研究之第二部份是對矽鍺鈷三元系內之擴散行為作一初步探討。本論文決定出CoSi2/Ge與CoSi/Ge 在950℃下的擴散路徑,所得的結果為950℃下CoSi2與Si1-xGex相平衡之x值為0.65。此結果於相圖所得的結果相同。此外,本論文亦做了以下之交互擴散實驗 : (1)700℃下Co/Ge之交互擴散。(2)700℃下Co/Si之交互擴散。(3)750℃下Co/CoGe之交互擴散。(4)750℃下Co/CoGe2之交互擴散。(5)900℃下Si/CoGe之交互擴散。
    Appears in Collections:[化學工程與材料工程研究所] 博碩士論文

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