中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/35723
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    题名: High brightness InGaN green LEDs with an ITO on n(++)-SPS upper contact
    作者: Chang,CS;Chang,SJ;Su,YK;Kuo,CH;Lai,WC;Lin,YC;Hsu,YP;Shei,SC;Tsai,JM;Lo,HM;Ke,JC;Shen,JK
    贡献者: 光電科學研究中心
    关键词: LIGHT-EMITTING-DIODES;GAN;BLUE;OPERATION
    日期: 2003
    上传时间: 2010-07-07 15:49:52 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Indium tin oxide (ITO) (260 nm) and Ni (5 nm)/Au (10 nm) films were deposited onto glass substrates, p-GaN layers, n(+)-InGaN/GaN short-period-superlattice (SPS), n(++)-SPS and nitride-based green light-emitting diodes (LEDs). It was found that ITO could
    關聯: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
    显示于类别:[光電科學研究中心] 期刊論文

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