In0.23Ga0.77N/GaN MQW LEDs with a low temperature GaN cap layer

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題名:	In0.23Ga0.77N/GaN MQW LEDs with a low temperature GaN cap layer
作者:	Wu,LW;Chang,SJ;Su,YK;Chuang,RW;Hsu,YP;Kuo,CH;Lai,WC;Wen,TC;Tsai,JM;Sheu,JK
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	LIGHT-EMITTING-DIODES;LOW-OPERATION VOLTAGE;VAPOR-PHASE EPITAXY;QUANTUM-WELL BLUE;O-2 AMBIENT;SI;SUPERLATTICE
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-07 15:49:54 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Mg-doped p-GaN epitaxial layers prepared at different temperatures were prepared and characterized. It was found that we could achieve a higher hole concentration and a rough surface by reducing the growth temperature down to 800 degreesC. In0.23Ga0.77N/G
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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