InGaN/GaN multiple quantum well green light-emitting diodes prepared by temperature ramping

NCU Institutional Repository > 研究中心 > 光電科學研究中心 > 期刊論文 > Item 987654321/35728

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35728

题名:	InGaN/GaN multiple quantum well green light-emitting diodes prepared by temperature ramping
作者:	Wen,TC;Chang,SJ;Su,YK;Wu,LW;Kuo,CH;Lai,WC;Sheu,JK;Tsai,TY
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	BARRIER GROWTH TEMPERATURE;GAN;BLUE;SI;LAYER
日期:	2003
上传时间:	2010-07-07 15:50:09 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	High-quality InGaN/GaN multiple-quantum well (MQW) light-emitting diode (LED) structures were prepared by a temperature-ramping method during metal-organic chemical-vapor deposition (MOCVD) growth. Two photoluminescence (PL) peaks, one originating from we
關聯:	JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	623	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing