中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/35728
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 69561/69561 (100%)
造访人次 : 23031556      在线人数 : 578
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 查询小技巧:
  • 您可在西文检索词汇前后加上"双引号",以获取较精准的检索结果
  • 若欲以作者姓名搜寻,建议至进阶搜寻限定作者字段,可获得较完整数据
  • 进阶搜寻


    jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35728


    题名: InGaN/GaN multiple quantum well green light-emitting diodes prepared by temperature ramping
    作者: Wen,TC;Chang,SJ;Su,YK;Wu,LW;Kuo,CH;Lai,WC;Sheu,JK;Tsai,TY
    贡献者: 光電科學研究中心
    关键词: BARRIER GROWTH TEMPERATURE;GAN;BLUE;SI;LAYER
    日期: 2003
    上传时间: 2010-07-07 15:50:09 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: High-quality InGaN/GaN multiple-quantum well (MQW) light-emitting diode (LED) structures were prepared by a temperature-ramping method during metal-organic chemical-vapor deposition (MOCVD) growth. Two photoluminescence (PL) peaks, one originating from we
    關聯: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
    显示于类别:[光電科學研究中心] 期刊論文

    文件中的档案:

    档案 描述 大小格式浏览次数
    index.html0KbHTML473检视/开启


    在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈  - 隱私權政策聲明