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    题名: 400-nm InGaN-GaN and InGaN-AlGaN multiquantum well light-emitting diodes
    作者: Chang,SJ;Kuo,CH;Su,YK;Wu,LW;Sheu,JK;Wen,TC;Lai,WC;Chen,JF;Tsai,JM
    贡献者: 光電科學研究中心
    关键词: RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY;OPERATION;ALN
    日期: 2002
    上传时间: 2010-07-07 15:50:30 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: The 400-nm In0.05Ga0.95N-GaN MQW light-emitting diode (LED) structure and In0.05Ga0.95N-Al0.1Ga0.9N LED structure were both prepared by organometallic vapor phase epitaxy. It was found that the use of Al0.1Ga0.9N as the material for barrier layers would n
    關聯: IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS
    显示于类别:[光電科學研究中心] 期刊論文

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