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    题名: Characterization of Si implants in p-type GaN
    作者: Sheu,JK;Lee,ML;Tun,CJ;Kao,CJ;Yeh,LS;Chang,SJ;Chi,GC
    贡献者: 光電科學研究中心
    关键词: MG-DOPED GAN;YELLOW LUMINESCENCE;ION-IMPLANTATION;ELECTRICAL-PROPERTIES;OHMIC CONTACT;PHOTOLUMINESCENCE;BAND;ACTIVATION;PHOTODETECTORS;TEMPERATURE
    日期: 2002
    上传时间: 2010-07-07 15:50:34 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Si ion implantation into p-type GaN followed by rapid thermal annealing (RTA) in N-2 has been performed. X-ray diffraction analyses indicate that ion-implanted damage remains even with 1050 degreesC, 60 s RTA. By varying implantation and postimplantation
    關聯: IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS
    显示于类别:[光電科學研究中心] 期刊論文

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