InGaN/GaN tunnel-injection blue light-emitting diodes

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題名:	InGaN/GaN tunnel-injection blue light-emitting diodes
作者:	Wen,TC;Chang,SJ;Wu,LW;Su,YK;Lai,WC;Kuo,CH;Chen,CH;Sheu,JK;Chen,JF
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	QUANTUM-WELL;TEMPERATURE-DEPENDENCE;LASER;GAN;PHOTODETECTORS;MODULATION;CAPTURE;DEVICE
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-07 15:50:43 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A charge asymmetric resonance tunneling (CART) structure was applied to nitride-based blue light emitting diodes (LEDs) to enhance their output efficiency. It was found that with a 20-nm-thick In0.18Ga0.82 N electron emitter layer, we could increase the L
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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