White-light emission from InGaN-GaN multiquantum-well light-emitting diodes with Si and Zn codoped active well layer

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題名:	White-light emission from InGaN-GaN multiquantum-well light-emitting diodes with Si and Zn codoped active well layer
作者:	Sheu,JK;Pan,CJ;Chi,GC;Kuo,CH;Wu,LW;Chen,CH;Chang,SJ;Su,YK
貢獻者:	光電科學研究中心
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-07 15:50:58 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Si and Zn codoped InxGa1-xN-GaN multiple-quantum-well (MQW) light-emitting diode (LED) structures were grown by metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE). It was found that we can observe a broad long-wavelength donor-acceptor (D-A) pair related emission
關聯:	IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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