Activation analysis of rapid thermally annealed Si and Mg co-implanted semi-insulating GaAs

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題名:	Activation analysis of rapid thermally annealed Si and Mg co-implanted semi-insulating GaAs
作者:	Lee,CC;Wu,LW;Chi,GC
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	BURIED P-LAYER
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-07 15:51:00 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A buried p-layer in a GaAs MESFET channel is successfully formed by (Si, ME) co-implantation and rapid thermal annealing process. The effects of co-implantation dose on the measured electrical activity are investigated: and the results on MESFET implantat
關聯:	NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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