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    題名: 低介電常數材料於電子束微影製程上的應用;Direct Nano pattern Definition for Low-k Dielectric Layer by using Electron Beam Exposure
    作者: 賴義凱;Yi-Kai Lai
    貢獻者: 化學工程與材料工程研究所
    關鍵詞: 電子束微影;e-beam
    日期: 2001-07-09
    上傳時間: 2009-09-21 12:18:56 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 隨著半導體技術的進步,金屬導線層的數目增加及導線間的距離不斷縮小,使得元件的尺寸也不斷地縮小,在線寬小於0.25 mm以下,電子訊號在金屬連線間傳送時,金屬連線的電阻-電容延遲時間 (RC delay time),變成半導體元件速度受限的主要原因,為了降低訊號傳遞時間的延遲,現今已發展以金屬銅 (電阻率為 2.7 mW-cm) 成為導線的連線系統,進而降低金屬導線的電阻值。另一方面則是利用低介電常數 (low-k) 材料來降低電容,傳統上以化學氣相沈積法,長出來的金屬內層介電材料,如TEOS的介電常數值大約為3.9~4.1之間,
    顯示於類別:[化學工程與材料工程研究所] 博碩士論文

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