English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 64745/64745 (100%)
造訪人次 : 20399339      線上人數 : 422
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/3681


    題名: 負載式CoB非晶態合金觸媒製備與催化性質探討
    作者: 郭松輝;Sung-huei Kuo
    貢獻者: 化學工程與材料工程研究所
    關鍵詞: 非晶態合金;金屬-硼;氫化
    日期: 2001-06-22
    上傳時間: 2009-09-21 12:20:00 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本研究以環己烯氫化為模式反應,有系統地探討負載式CoB/SiO2非晶態合金觸媒製備之最適條件,並針對不同官能基烯基鍵與羰基鍵的氫化及苯環內共振烯基鍵的氫化做一探討,並與非負載式CoB觸媒與傳統Co觸媒做一比較。 以含浸-化學還原法製備負載式CoB/SiO2觸媒,最適製備條件為,以氯化鈷為先驅鹽,以臨濕含浸法含浸於SiO2擔體,經100℃乾燥過夜與200℃中溫焙燒後,將硼氫化鈉以6 ml/min及B/Co=4.5(莫爾比)滴定還原製得。 CoB/SiO2觸媒整體的元素組成為Co/B=1.2~1.8,低於非負載式CoB觸媒中Co/B=2~3,硼元素含量高於非負載式CoB觸媒;CoB/SiO2觸媒在500℃以下熱處理無明顯X-ray繞射結晶峰,500℃以上始有Co晶相形成。 CoB/SiO2觸媒之氫-程溫脫附尖峰溫度大致相同為530℃,10wt%CoB/SiO2有最大氫吸附量;添加促進劑Cr、Th或W之CoB/SiO2觸媒氫-程溫脫附尖峰向低溫偏移至500℃,削弱氫的吸附強度,Cr與Th的添加能促進Co的分散性,W的添加則不利Co的分散性。 在液相氫化反應中,鏈狀單一官能基氫化大致以接近氯化鈷單層負載量的10wt%CoB/SiO2最佳,環狀化合物烯基鍵氫化屬結構敏感型反應,則以20wt%CoB/SiO2最佳。 在等Co含量下,除丁醛之氫化外,CoB/SiO2觸媒活性大都不及CoB觸媒,添加促進劑之CoB/SiO2觸媒活性則可以媲美CoB觸媒。 CoB/SiO2觸媒活性不如Co/SiO2觸媒,但有較佳的耐硫毒化特性,添加促進劑之CoB/SiO2觸媒雖有好的活性,但卻不具耐硫毒化特性。
    顯示於類別:[化學工程與材料工程研究所] 博碩士論文

    文件中的檔案:

    檔案 大小格式瀏覽次數
    0KbUnknown448檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋  - 隱私權政策聲明