Detection of chloride ions using an integrated Ag/AgCl electrode with AlGaN/GaN high electron mobility transistors

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題名:	Detection of chloride ions using an integrated Ag/AgCl electrode with AlGaN/GaN high electron mobility transistors
作者:	Hung,S. C.;Wang,Y. L.;Hicks,B.;Pearton,S. J.;Dennis,D. M.;Ren,F.;Johnson,J. W.;Rajagopal,P.;Roberts,J. C.;Piner,E. L.;Linthicum,K. J.;Chi,G. C.
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	CHROMATOGRAPHY
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-08 13:19:23 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with an Ag/AgCl gate exhibit significant changes in channel conductance upon exposing the gate region to various concentrations of chloride (Cl-) ion. The Ag/AgCl gate electrode, prepared by potentiosta
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

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