Hot carrier photoluminescence in InN epilayers Hot carrier photoluminescence in InN epilayers

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题名:	Hot carrier photoluminescence in InN epilayers Hot carrier photoluminescence in InN epilayers
作者:	Yang,M. D.;Chen,Y. P.;Shu,G. W.;Shen,J. L.;Hung,S. C.;Chi,G. C.;Lin,T. Y.;Lee,Y. C.;Chen,C. T.;Ko,C. H.
贡献者:	物理研究所
关键词:	BAND-GAP;EXCITATION;ELECTRONS
日期:	2008
上传时间:	2010-07-08 13:19:36 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The energy relaxation of electrons in InN epilayers is investigated by excitation- and electric field-dependent photoluminescence (PL). From the high-energy tail of PL, we determine the electron temperature of the hot carriers. It was found that the elect
關聯:	APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING????
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