Phosphor-free GaN-based transverse junction white-light light-emitting diodes with regrown n-type regions

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题名:	Phosphor-free GaN-based transverse junction white-light light-emitting diodes with regrown n-type regions
作者:	Shi,J. -W.;Chen,C. -C.;Wang,C. -K.;Lin,C. -S.;Shen,J. -K.;Lai,W. -C.;Kuo,C. -H.;Tun,C. -J.;Yang,T. -H.;Tsao,F-C.;Chyi,J. -I
贡献者:	物理研究所
关键词:	GENERATION;EMISSION
日期:	2008
上传时间:	2010-07-08 13:20:46 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this study, we demonstrate a GaN-based phosphor-free white-light light-emitting diode (LED), which is composed of GaN-based dual-wavelength (blue and yellow-green) multiple-quantum-wells (MQWs) and a transverse p-n junction. The device was realized by
關聯:	IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS????
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