Optical studies of InN epilayers on Si substrates with different buffer layers

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題名:	Optical studies of InN epilayers on Si substrates with different buffer layers
作者:	Yang,M. D.;Shen,J. L.;Chen,M. C.;Chiang,C. C.;Lan,S. M.;Yang,T. N.;Lo,M. H.;Kuo,H. C.;Lu,T. C.;Huang,P. J.;Hung,S. C.;Chi,G. C.;Chou,W. C.
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;INDIUM NITRIDE;BAND-GAP;HETEROEPITAXIAL GROWTH;FILMS;PHOTOLUMINESCENCE;TEMPERATURE
日期:	2007
上傳時間:	2010-07-08 13:23:56 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We have investigated the photoluminescence (PL) and time-resolved PL from the InN epilayers grown on Si substrates with different buffer layers. The narrowest value of the full width at half maximum of the PL peak is 52 meV with the AllGaN/GaN triple b
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

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