Fabrication of hybrid n-ZnMgO/n-ZnO/p-AlGaN/p-GaN light-emitting diodes

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题名:	Fabrication of hybrid n-ZnMgO/n-ZnO/p-AlGaN/p-GaN light-emitting diodes
作者:	Yang,HS;Han,SY;Heo,YW;Baik,KH;Norton,DP;Pearton,SJ;Ren,F;Osinsky,A;Dong,JW;Hertog,B;Dabiran,AM;Chow,PP;Chernyak,L;Steiner,T;Kao,CJ;Chi,GC
贡献者:	物理研究所
关键词:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;P-TYPE ZNO;THIN-FILMS;GROWTH;SAPPHIRE;POLARITY;DEPOSITION;TEMPLATES;MGXZN1-XO;EPILAYERS
日期:	2005
上传时间:	2010-07-08 13:28:11 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We report on the fabrication of UV light-emitting diodes (LEDs) based on a p-n junction n-ZnMgO/n-ZnO/p-AlGaN/p-GaN semiconductor triple-heterostructure. Radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy was used to grow the complete heterostructure
關聯:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
显示于类别:	[物理研究所] 期刊論文

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