W2B-based ohmic contacts to n-GaN

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题名:	W2B-based ohmic contacts to n-GaN
作者:	Khanna,R;Pearton,SJ;Ren,F;Kravchenko,I;Kao,CJ;Chi,GC
贡献者:	物理研究所
关键词:	ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS;ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES;THERMAL-STABILITY;RESISTANCE;TI/AL;TI/AL/MO/AU;MICROSTRUCTURE;METALLIZATION;IMPLANTATION;RESISTIVITY
日期:	2005
上传时间:	2010-07-08 13:30:47 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Ohmic contact formation on n-GaN using a novel Ti/Al/W2B/Ti/Au metallization scheme was studied using contact resistance, scanning electron microscopy and Auger electron spectroscopy measurements. A minimum specific contact resistivity of 7 x 10(-6) ohm c
關聯:	APPLIED SURFACE SCIENCE
显示于类别:	[物理研究所] 期刊論文

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