W2B-based rectifying contacts to n-GaN

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题名:	W2B-based rectifying contacts to n-GaN
作者:	Khanna,R;Pearton,SJ;Ren,F;Kravchenko,I;Kao,CJ;Chi,GC
贡献者:	物理研究所
关键词:	ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS;MULTILAYER OHMIC CONTACTS;W-SCHOTTKY CONTACTS;THERMAL-STABILITY;ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES;TI/AL/MO/AU;RESISTANCE;WSIX;METALLIZATION;IMPLANTATION
日期:	2005
上传时间:	2010-07-08 13:30:48 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Schottky contact formation on n-GaN using a novel W2B/Ti/Au metallization scheme was studied using current-voltage, scanning electron microscopy and Auger electron spectroscopy measurements. A maximum barrier height of 0.55 eV was achieved on as-deposited
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[物理研究所] 期刊論文

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