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    题名: W2B-based rectifying contacts to n-GaN
    作者: Khanna,R;Pearton,SJ;Ren,F;Kravchenko,I;Kao,CJ;Chi,GC
    贡献者: 物理研究所
    关键词: ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS;MULTILAYER OHMIC CONTACTS;W-SCHOTTKY CONTACTS;THERMAL-STABILITY;ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES;TI/AL/MO/AU;RESISTANCE;WSIX;METALLIZATION;IMPLANTATION
    日期: 2005
    上传时间: 2010-07-08 13:30:48 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Schottky contact formation on n-GaN using a novel W2B/Ti/Au metallization scheme was studied using current-voltage, scanning electron microscopy and Auger electron spectroscopy measurements. A maximum barrier height of 0.55 eV was achieved on as-deposited
    關聯: APPLIED PHYSICS LETTERS
    显示于类别:[物理研究所] 期刊論文

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