Optical properties of stacked Ge/Si quantum dots with different spacer thickness grown by chemical vapor deposition

NCU Institutional Repository > 理學院 > 物理研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/38603

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/38603

题名:	Optical properties of stacked Ge/Si quantum dots with different spacer thickness grown by chemical vapor deposition
作者:	Chen,WY;Chang,WH;Chou,AT;Hsu,TM;Chen,PS;Pei,ZW;Lai,LS
贡献者:	物理研究所
关键词:	PHONONLESS RADIATIVE RECOMBINATION;PHOTOLUMINESCENCE;ALIGNMENT;EXCITONS;WELLS;SI
日期:	2004
上传时间:	2010-07-08 13:32:35 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Photoluminescence spectroscopy has been used to study the optical properties of multiple stacked Ge/Si quantum dots (QDs) with different thickness of Si spacers inserted between the Ge dot layers. According to the emission energy of the stacked Ge/Si QDs,
關聯:	APPLIED SURFACE SCIENCE
显示于类别:	[物理研究所] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	442	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing