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    题名: GaN metal-semiconductor-metal photodetectors with low-temperature-GaN cap layers and ITO metal contacts
    作者: Chang,SJ;Lee,ML;Sheu,JK;Lai,WC;Su,YK;Chang,CS;Kao,CJ;Chi,GC;Tsai,JA
    贡献者: 物理研究所
    关键词: OXIDE SCHOTTKY CONTACTS;ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS;N-GAN;DETECTORS
    日期: 2003
    上传时间: 2010-07-08 13:34:32 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Nitride-based metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors (PDs) with low-temperature (LT) gallium nitride (GaN) cap layers and indium-tin-oxide (ITO) metal contacts were successfully fabricated. It was found that we could achieve three orders of magnit
    關聯: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
    显示于类别:[物理研究所] 期刊論文

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