Visible-blind GaN p-i-n photodiodes with an Al0.12Ga0.88N/GaN superlattice structure

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題名:	Visible-blind GaN p-i-n photodiodes with an Al0.12Ga0.88N/GaN superlattice structure
作者:	Yeh,LS;Lee,ML;Sheu,JK;Chen,MG;Kao,CJ;Chi,GC;Chang,SJ;Su,YK
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS;DETECTORS;PERFORMANCE
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-08 13:35:49 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	GaN ultraviolet photodiodes with (i.e. sample 1) and without (i.e. sample 2) Mg-doped AlGaN/GaN strained-layer superlattice structure were both fabricated. It was found that we could achieve a near constant dark current of around 3 and 7 nA/cm(2) for samp
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

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