Crystal orientation dependence of optical gain in InGaN/GaN multiple-quantum-well structures

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題名:	Crystal orientation dependence of optical gain in InGaN/GaN multiple-quantum-well structures
作者:	Chen,CC;Hsieh,KL;Sheu,JK;Chi,GC;Jou,MJ;Lee,CH;Lin,MZ
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	WURTZITE-GAN;LASERS;SPECTRA
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-08 13:38:43 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The net modal gain of the InGaN/GaN multiple quantum well has been measured by the variable excitation stripe length method for an optically pumped cavity along each crystal orientation on the (0001) plane. These results demonstrated the theoretical predi
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

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