Properties of Mg activation in thermally treated GaN : Mg films

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题名:	Properties of Mg activation in thermally treated GaN : Mg films
作者:	Lin,CF;Cheng,HC;Chang,CC;Chi,GC
贡献者:	物理研究所
关键词:	CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;DIODES
日期:	2000
上传时间:	2010-07-08 13:41:56 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The Mg accepters of GaN films are activated as p-type GaN with rapid thermal annealing (RTA) and furnace treatments. The GaN:Mg films are activated successfully by using the RTA system below 1000 degreesC for 1 min. After the RTA treatment, we observed a
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
显示于类别:	[物理研究所] 期刊論文

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