Room temperature study of low temperature grown Al0.3Ga0.7As/GaAs multiple quantum wells by modulation reflectance

NCU Institutional Repository > 理學院 > 物理研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/38889

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/38889

題名:	Room temperature study of low temperature grown Al0.3Ga0.7As/GaAs multiple quantum wells by modulation reflectance
作者:	Lai,CY;Hsu,TM;Lin,CL;Wu,CC;Lee,WC
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	DELTA-DOPED GAAS;FAST FOURIER TRANSFORMATION;FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS;III-V MATERIALS;ELECTROMODULATION REFLECTANCE;INTERDIFFUSION;DIFFUSION;AL;SUPERLATTICES;KINETICS
日期:	2000
上傳時間:	2010-07-08 13:42:02 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We studied the subband energy levels in AlGaAs/GaAs multiple quantum wells grown at different temperatures (200-600 degrees C) by using the piezoreflectance and photoreflectance in room temperature. Under subsequent 30 s rapid-thermal annealing at differe
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	498	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing