Temperature dependent performance of GaN Schottky diode rectifiers

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题名:	Temperature dependent performance of GaN Schottky diode rectifiers
作者:	Cao,XA;Dang,GT;Zhang,AP;Ren,F;Pearton,SJ;Lee,CM;Chuo,CC;Chyi,JI;Chi,GC;Han,J;Chu,SNG;Wilson,RG
贡献者:	物理研究所
关键词:	BREAKDOWN;FIELD
日期:	2000
上传时间:	2010-07-08 13:42:31 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	GaN Schottky diode rectifiers with reverse breakdown (V-RB) > 2 kV were fabricated on epitaxial layers grown on sapphire substrates. The temperature dependence of V-RB and forward turn-on voltage (V-F) were measured. The V-RB values display a negative tem
關聯:	SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2
显示于类别:	[物理研究所] 期刊論文

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