C-頻段(5.1-5.8GHz)射頻元件及模組技術開發---子計畫II：異質接面高速場效應電晶體在C-頻段射頻放大器之應用(III);Development of Heterostructure FET and Its Application on C-Band RF Power Amplifier (III)

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題名:	C-頻段(5.1-5.8GHz)射頻元件及模組技術開發---子計畫II：異質接面高速場效應電晶體在C-頻段射頻放大器之應用(III);Development of Heterostructure FET and Its Application on C-Band RF Power Amplifier (III)
作者:	詹益仁;辛裕明;陳巍仁
貢獻者:	電機工程系
關鍵詞:	C頻段射頻功率放大器;射頻元件;異質接面高速場效應電晶體;C-band radio frequency power amplifier;Radio frequency device;Heterostructure field effect transistor (FET);電子電機工程類;電信工程
日期:	2002-07-01
上傳時間:	2010-11-03 16:31:08 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	研究期間：9008 ~ 9107
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[電機工程學系] 研究計畫

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