銅電鍍矽晶圓附著性埴充性及抗電遷移強化電鍍配方研發; Development of Electroplating Formulation for Copper Deposition on Si-Wafer with Good Adherence, Homogeneity and Anti-Electro-Migration

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题名:	銅電鍍矽晶圓附著性埴充性及抗電遷移強化電鍍配方研發;Development of Electroplating Formulation for Copper Deposition on Si-Wafer with Good Adherence, Homogeneity and Anti-Electro-Migration
作者:	林景崎;李勝隆
贡献者:	機械工程學系
关键词:	電子電機工程類;化學工程類
日期:	2005-07-01
上传时间:	2010-11-30 15:12:25 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	鋁導線由於RC delay 的缺點不能突破，不可能製造速度更快、線路更密集的電路，電子工業經多年的研發，目前，高導電率、電遷移抵抗力較好的銅，已逐漸取代鋁成為半導體材料導體金屬的主流，銅製程技術因而受到重視。然而由於銅的熔點遠高於鋁，必須採用電鍍法來取代傳統的鋁製程物理蒸鍍鍍.。因為電鍍法其製程設備與電鍍操作條件息息相關此，唯有針對鍍銅製程條件的深入探討，並搭配電鍍機構、電控系統的開發，才能建立實用的銅製程設備。本子計畫目標在建立：晶圓上電化學鍍銅其附著性、埴充性、及抗電遷最佳電鍍配方的研發，計劃時程分為三年，每年之研究目標及重點摘述如下：第一年：以硫酸銅和焦磷酸銅為主要鍍液配方，在已濺鍍晶種層的平板矽晶上進行電鍍比較，著重電鍍效率與電鍍形態的探討，配合銅鍍層之檢測，進而選擇出適當之電鍍配方及其與添加劑組合之創新條件(介面活性劑、濕潤劑、平整劑及光澤劑)，並討論其機制。第二年：針對已有凹槽(trench)的矽晶圓為對像進行焦磷酸銅高溫電鍍 (60~80℃)、低溫硫酸銅電鍍(20~30℃)研究，在不同電鍍環境中，改變兩極間電場分佈、溶液間質傳效果、兩極間偏壓大小、兩電極間距及電極表面氣泡產生.等參數進行研究，配合銅鍍層之檢測，討論電鍍速率與鍍層性質的關係，並研究出最佳化電鍍製程參數。第三年：分別由第二第三子計畫所提供之部分設備元件總成，配合本子計畫前兩年開發之電鍍配方及製程參數進行測試，並隨時修正配方條件或提出硬體改進意見。各階段之研究結果均回饋至總計畫。研究期間：9308 ~ 9407
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
显示于类别:	[機械工程學系] 研究計畫

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