以三族氮化物為材料用於藍綠光和紫外光通信之光電和電子元件---總計畫(I); The Development of High-Speed III-Nitride Based Optical and Electronics Devices for Optical Communication at UV/Blue-Green Wavelengths

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Title:	以三族氮化物為材料用於藍綠光和紫外光通信之光電和電子元件---總計畫(I);The Development of High-Speed III-Nitride Based Optical and Electronics Devices for Optical Communication at UV/Blue-Green Wavelengths
Authors:	許晉瑋;詹益仁;蕭高智;許進恭
Contributors:	電機工程系
Keywords:	材料科技;光電工程
Date:	2005-07-01
Issue Date:	2010-11-30 17:02:45 (UTC+8)
Publisher:	行政院國家科學委員會
Abstract:	此總計畫目的將會展示以三族氮化物為材料且應用於紫外光和藍綠光波段光通信的超高速、高輸出功率的光偵測器，光調製器，HEMT 電路和HBT 電路。並建立於此波段測試元件的超高速光電量測平台，以分析元件和積體化電路在此操作波長下的速度表現。在工程和科學方面，藍光和紫外光波段的應用不勝枚舉，例如說: 低成本的塑膠光纖通信、衛星通信、國防工業上的飛彈追蹤和深海探測、化學/生化催化劑檢測、環保上的臭氧層破洞監控和檢測，等等..。這些應用在氮化鎵材料和其半導體雷射技術成熟後，其發展如雨後春筍般方興未艾。而能操作在紫外光和藍光波段，並同時具有低(背景)暗電流、高速、高效率，和高輸出功率的光電/電子元件在這些應用上，尤其是藍綠光通信方面，也扮演了關鍵性的角色。使用氮化鎵材料系統作為此波段的光偵測器/調製器和光電積體化電路，與一般能帶寬度遠小於紫外光光子能量的材料(Si, GaAs, InP)相比之下其具有無數的優點。例如說:可和氮化鎵雷射或發光二極體單晶積體化結合，較強的環境變異忍受能力，和較高的輸出功率。此總計畫中我們將結合在InP 或GaAs 材料系統中超高速光電和電子元件的設計概念和氮化鎵一些特別的材料光電特性，成功製作出可操作在波長~500nm(藍綠光)和 ~270nm(紫外光)，的光電調製器，光偵測器，HBT 和HEMT 的高速光通信用電路。我們將同時採用可調式半導體雷射互擊(Heterodyne Beating )和鎖模雷射倍頻所產生紫外光波段的短脈衝光源，以量測元件和電路的超快頻域和時域表現。此計畫的成功將為氮化鎵化合物半導體帶來全新商品化的機會和市場，並可更清楚瞭解到氮化鎵材料系列中的載子動力學。日盲式光偵測器 (solar blind photodetector)，氮化鎵光偵測器，行波式光偵測器，超高速光偵測器，行波式光調製器，超高速光調製器，AlGaN/GaN 高電子移動度電晶體，氮化鎵異質接面電晶體。研究期間：9308 ~ 9407
Relation:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
Appears in Collections:	[Department of Electrical Engineering] Research Project

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