量子效應在奈米元件上之物理探討與教學; A Study on Quantum Effects of Nano Devices for Research and Teaching

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題名:	量子效應在奈米元件上之物理探討與教學;A Study on Quantum Effects of Nano Devices for Research and Teaching
作者:	蔡曜聰
貢獻者:	電機工程系
關鍵詞:	量子力學;MOSFET;HEMT;薛丁格波動方程式;柏松方程式;連續方程式;薛丁格-柏松條理解法器;量子井;科學教育
日期:	2005-07-01
上傳時間:	2010-11-30 17:03:48 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	本計畫中我們研究探討奈米元件在量子力學的物理特性與其在半導體奈米元件物理教學上的加強。為了開發這量子力學模擬環境，首先我們必需先建立一個有效率的特徵值與特徵向量的運算器來幫我們解薛丁格波動方程式。因此在本計劃我們選擇了一個高速省時牛頓迭代法運用在矩陣行列式求解的運算器。在量子力學的物理現象方面，我們利用已建立的量子力學等效電路模型，討論載子在量子井的運動情形，並更深入探討在實際元件中的多層量子井現象，同時也針對元件物理的E-k 關係圖作模擬。在MOSFET 元件模擬部分，在奈米尺寸下的MOSFET 需要考量量子力學效應，因此我們將模擬MOSFET 中的電荷的分佈、電流的變化與一些短通道的效應等機制。而在HEMT 元件模擬上則分析載子、電流與通道的特性模擬分析。本計劃以能夠強化學習量子力學的物理模擬為最主要訴求。研究期間：9308 ~ 9407
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[電機工程學系] 研究計畫

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