微陽極引導電鍍影像監控; Image Inspection and Control of Micro Anode Guided Electroplating

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題名:	微陽極引導電鍍影像監控;Image Inspection and Control of Micro Anode Guided Electroplating
作者:	江士標;林景崎
貢獻者:	光機電工程研究所
關鍵詞:	自動化工程
日期:	2006-07-01
上傳時間:	2010-12-06 15:06:47 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	常見的微製造技術中，以蝕刻、光刻鑄模技術、薄膜和微細機械加工等四種技術為主，前三種技術現今多應用於積體電路製程。積體電路製程技術應用在製作微機械結構時常會遇立體性問題，包括高厚度、高深寬比、甚或三度空間之微結構的需求。三度空間微製造研究中微電鑄目前較普遍之技術，但微電鑄必須先有該元件之微鑄模，微鑄模的製作法包括有例如光刻鑄模技術、雷射光刻鑄模（Laser LIGA）技術、或類光刻鑄模（LIGA-like）技術等。然而雖然號稱三度空間製造技術，實質上僅為兩度空間再加上一厚度所構成的二度半空間結構。麻省理工學院學者Hunter 等人於1996 年率先提出『局部微電鍍』[11][12]，一改過去以材料消除（Removal）為主的製程技術，而以析鍍長出（Growth）的方式建立微結構，成功製作微米範圍的鎳柱和螺旋線狀物等微小元件。然而，從Hunter 的研究[11]中顯示：微鎳柱有成長速率不均、外表凹凸不平且有鬚狀物包附產生等缺點，尚有許多值得探討及改進之處。此種製程技術尚在萌芽階段，未來仍有極大發展改進的空間。為研究了研究瞭解局部微電鍍之微觀機制，以求進一步改善此種製程所製造之微小元件材料結構，本研究將以本研究團隊先前自己設計開發之微陽極引導微電鍍之原型設備，改良設計，加入顯微影像觀測控制之機制，以求進一步瞭解局部微電鍍成長過程，並利用成長過程的觀測回饋控制其電鍍條件，希望能得到更佳的元件材料及結構特性。研究期間：9408 ~ 9507
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[光機電工程研究所 ] 研究計畫

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