三族氮化物奈米線之成長研究與應用(I); Growth Mechanism and Application of III-Nitride Nanowire(I)

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/43058

Title:	三族氮化物奈米線之成長研究與應用(I);Growth Mechanism and Application of III-Nitride Nanowire(I)
Authors:	紀國鐘
Contributors:	物理系
Keywords:	物理類
Date:	2006-07-01
Issue Date:	2010-12-06 16:16:48 (UTC+8)
Publisher:	行政院國家科學委員會
Abstract:	近年來,三族氮化物 (Ⅲ-nitrides) 半導體已被廣泛地應用在光電元件上，特別是氮化鎵(GaN)這種寬能隙(Eg=3.4 eV)的半導體材料,可製作藍綠光到紫外光的光電元件，而進一步地，可以擁有極高的單晶(single crystal)品質的一維氮化鎵奈米線(GaN nanowire)，因此吸引更多的研究人員注意。在氮化鎵薄膜中，因為沒有晶格匹配的基板，所以成長的磊晶有晶格缺陷及雜質的問題。在材料的物理性質上，仍然無法得到本質的光性與電性知識，但是在氮化鎵奈米線的材料本質上，是很完美的單晶結構，故希望利用光激發光譜(PL)及I-V 量測、SEM、TEM 等，在有效改變不同的參數下(如催化劑種類、不同基板、成長壓力、溫度、流量及時間等等)，對氮化鎵本質的成長機制及物理性質做深入探討。在奈米元件之製作上，將利用本校微光電實驗室已建立之研究基礎，利用微影技術(lithography)製成奈米元件(nano-device)來完成極具挑戰性的任務，其中包括，奈米接點問題的深入探討，與製作成奈米線場效電晶體。進一步地，我們將針對紫外光偵測器及氣體感測器的製作與應用來做深入的探討，其中包括對這種一維材料做鎂或矽離子摻雜的分析，利用摻雜不同的離子及濃度來改變其原本的電性及光性，以便可以製做出n-type 或p-type 不同的奈米線，這將有助於對奈米線半導體更多的瞭解及可能之應用。研究期間：9408 ~ 9507
Relation:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
Appears in Collections:	[Department of Physics] Research Project

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
index.html		0Kb	HTML	348	View/Open

社群 sharing

Loading...