金屬與金屬矽化物奈米線陣列之製備及其性質研究; Fabrication and Properties Characterization of Periodic Metal and Metal Silicide Nanowire Arrays

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題名:	金屬與金屬矽化物奈米線陣列之製備及其性質研究;Fabrication and Properties Characterization of Periodic Metal and Metal Silicide Nanowire Arrays
作者:	鄭紹良
貢獻者:	化學工程與材料工程學系
關鍵詞:	金屬奈米線;矽化物奈米線;氧化鋁模板;金屬接觸;界面反應;材料科技
日期:	2007-07-01
上傳時間:	2010-12-21 16:19:22 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	近年來，在新穎奈米元件研發中，一維尺度之金屬及金屬矽化物奈米線由於其擁有可做為連結半導體奈米元件間之金屬接觸及金屬導線的實際應用潛力而受到廣泛的注意。然而，在大量製備一維金屬奈米線時，其尺寸均勻性與排列規則性的控制卻是製程上急需克服的重大挑戰。此外，目前探討金屬奈米線與半導體基材間之矽化反應與結構變化的相關研究仍十分缺乏，而對其界面反應變化與機制的釐清常是決定這些一維奈米材料能否真正整合應用於未來先進半導體元件上最關鍵的部分。因此，如何結合物理與化學方法先製備出週期排列且尺寸可調變的金屬奈米線陣列，並有系統地深入探討其與矽晶基材間界面反應機制，進而嘗試整合金屬奈米線將其組合成三維有序奈米陣列結構，將是本計畫之主要研究方向。在本計畫之執行規劃上，將採用一種稱為「陽極氧化鋁模板法」（anodic alumina oxide (AAO) template）的製程技術來製備高產量且長度、尺寸可調控之金屬奈米線。此種製備技術不需要經過繁複的半導體製程步驟即可自純鋁板材中自發性形成規則排列之奈米孔洞陣列結構以充當模板（template），再以電鍍方式將金屬沉積於奈米通道後除去此氧化鋁模板即可製備出大面積且尺寸均一之金屬奈米線陣列。接著則將分別運用各種高解析之材料及電性分析儀器(如, XRD, AFM, SEM, TEM, HRTEM, EDS, four-point probe… 等)，有系統地針對特定奈米尺度金屬奈米線在不同熱處理後之界面反應及矽化物奈米線初期成長機制、結構和特性變化等作深入的鑑定分析與探討。最後將嘗試利用磁或電場的控制，進一步將奈米線組合成三維有序堆疊之奈米結構。相信經此計畫執行所得之研究結果，將可提供相關產業在奈米尺度金屬接觸、連線等製程整合及新奈米元件結構研發上重要的參考。研究期間：9508 ~ 9607
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[化學工程與材料工程學系 ] 研究計畫

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