氮化物與氧化物半導體奈米結構之製備與應用; Preparation and Applications of Nitride and Oxide Semiconductor Nanostructures

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題名:	氮化物與氧化物半導體奈米結構之製備與應用;Preparation and Applications of Nitride and Oxide Semiconductor Nanostructures
作者:	綦振瀛
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	光電工程
日期:	2007-07-01
上傳時間:	2010-12-21 17:04:52 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	奈米科技應用層面廣泛，己成為全球各國改府致力發展的重點科技項目。本計畫之目標即在於發展新穎的氮化物、氧化物半導體奈米結構，以應用於高亮度發光二極體、雷射二極體、單光子發射器、高效率太陽電池。更具體地說，就是利用有機金屬氣相磊晶法成長氮化鎵奈米柱，再形成易於基板分離的氮化鎵厚膜，以供高亮度發光二極體及雷射之用; 成長氮化銦量子點以供長波長單子發射器及高效率太陽電池之用。我們也將建立一分子束磊晶系統並用以發展非常新穎的硒氧化鋅材料，這個材料極具潛力可以製作成室溫操作之量子點單光子發射器及高效率量子點太陽電池。研究期間：9508 ~ 9607
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 研究計畫

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