銦砷化鎵量子點成長於砷化鎵多面體微結構的光學特性研究; The Optical Properties of InGaAs Quantum Dots Formation on GaAs Multi-Facet Micro Structure

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題名:	銦砷化鎵量子點成長於砷化鎵多面體微結構的光學特性研究;The Optical Properties of InGaAs Quantum Dots Formation on GaAs Multi-Facet Micro Structure
作者:	徐子民
貢獻者:	物理學系
關鍵詞:	量子點;量子井;量子線多面體;位置控制;單光子光源;物理類
日期:	2007-07-01
上傳時間:	2010-12-21 17:22:26 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	本計畫擬用光蝕刻以及濕蝕刻的方式在砷化鎵基板上製作出一些砷化鎵多面體微結構，再利用金屬有機化學氣相磊晶在多面體的平台上成長自我形成的銦砷化鎵量子點，這種量子點可以用來發展可位置控制且高效率的單光子光源。由於這些微結構是被埋於砷化鎵層內，多面體結構的面會形成GaAs/InGaAs/GaAs 量子井，兩面交界的稜線會形成量子線，多個面交會接所產生的角會形成量子點。本計畫的目標是研究這些多面體結構所產生的量子井、線、點的光學特性。研究期間：9508 ~ 9607
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[物理學系] 研究計畫

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