English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 80990/80990 (100%)
造訪人次 : 41635227      線上人數 : 1395
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/45523


    題名: 以模板法操控成長有序奈米結構材料暨特性分析之研究;Template-Controlled Fabrication of Well-Ordered Nanostructured Materials and Their Properties Characterization
    作者: 鄭紹良
    貢獻者: 化學工程與材料工程學系
    關鍵詞: 奈米模板;自組裝;金屬接觸;矽化物;界面反應;材料科技
    日期: 2008-07-01
    上傳時間: 2010-12-28 14:30:02 (UTC+8)
    出版者: 行政院國家科學委員會
    摘要: 隨著元件尺寸縮小至奈米世代,能整合於半導體奈米元件上之0 維及1 維奈米結構材料的先進製程研發近年來受到廣泛的注意。然而,如何調控製備大範圍排列規則且尺寸均勻之奈米結構一直是相關製程急需克服的重大挑戰。此外,在實際元件應用導向上,不同維度之奈米材料與矽基半導體晶片間之界面反應及其對應的特性變化常是決定這些奈米結構材料能否真正整合應用於未來先進半導體元件上的首要考量。但目前針對相關界面變化、反應機制及釐清其對材料特性之影響等方面的研究卻相對顯得十分缺乏。因此,本計畫之主要研究目標將首度整合一系列物理、化學與自組裝模板法製程技術以嘗試直接在不同半導體晶片上皆能控制成長規則排列且尺寸可調變之0 維及1 維新穎奈米結構陣列,並藉助具高解析度分析儀器有系統地探討並釐清其與各半導體基材間界面反應動力學、相變化機制,以及不同奈米結構材料陣列在不同半導體晶片上之電性、磁性、場發射等特性表現,進而能將其整合組裝成有序排列且具創新性及應用功能性之奈米陣列結構。本計畫在相關實驗目標執行規劃上擬以二年為期,除需逐步添購實驗必須之設備外,將由掌握能整合於半導體晶片上之模板法製程技術做為基礎,再針對以下研究重點分年分階段進行深入探討:一、矽基半導體晶片上製備大面積有序排列、尺度可調變之奈米模板。二、奈米模板法操控成長不同維度、有序排列之新穎奈米結構陣列。三、不同維度、不同尺寸奈米材料陣列之晶體結構、成份組成與性質鑑定分析。四、不同維度奈米材料陣列與矽基半導體晶片間之界面反應機制,及其界面晶體結構與材料特性之變化。五、整合上述模板法製程技術在有預置圖案(prepatterned)矽基晶片之特定位置操控成長一系列不同維度且具功能性之有序金屬/半導體奈米結構陣列系統。 研究期間:9608 ~ 9707
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[化學工程與材料工程學系 ] 研究計畫

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML353檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明