氮化鎵基板之製備與高功率氮化鎵整流二極體之研製; Preparation of GaN Substrate and Fabrication of High Power GaN Rectifiers

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題名:	氮化鎵基板之製備與高功率氮化鎵整流二極體之研製;Preparation of GaN Substrate and Fabrication of High Power GaN Rectifiers
作者:	綦振瀛
貢獻者:	電機工程學系
關鍵詞:	氮化鎵;矽;整流二極體;功率元件;GaN;Si;rectifiers;power devices;電子電機工程類
日期:	2008-07-01
上傳時間:	2010-12-28 15:54:01 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	本計畫為此整合型計畫中負責材料研發之子計畫，其目標為開發低差排密度氮化鎵基板以及高功率氮化鎵整流二極體，其中製備低差排密度氮化鎵基板的主要方法是將氮化鎵成長在具有矽微米柱之矽基板上，藉由矽微米柱結構脆弱的特性，使氮化鎵膜可以較易從矽基板上自我分離，此方法簡化了傳統氮化鎵基板的製備流程並得以降低製作成本。另外，在基板的研製過程中也將利用彎曲度即時監控系統建立氮化鎵薄膜的應力控制技術，以發展無裂痕之氮化鎵基板，此氮化鎵基板亦將供予本計畫及其他子計畫發展高效能的氮化鎵功率元件。在高功率整流二極體的研製方面，本計畫將以 AlGaN/GaN 異質結構為基礎，利用降低氮化鎵的差排密度及加入field-plate 分散電場等方法，以實現崩潰電壓達600 V 順向電流達8 A 之整流二極體。研究期間：9608 ~ 9707
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[電機工程學系] 研究計畫

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